|
Productdetails:
|
| Materiaal: | GaN | Type: | GaN-FS-10, gaN-FS-15 |
|---|---|---|---|
| Richtlijn: | C-as (0001) ± 0.5° | TTV: | ≤15 µm |
| Boog: | ≤20 µm | Dragerconcentratie: | >5x1017/cm3 |
| Typische dikte (mm): | Semi-Insulating n-type, | Weerstandsvermogen (@300K): | < 0="">106 Ω•cm |
| Bruikbare Oppervlakte: | > 90% |
Met een brede directe bandbreedte ((3.4 eV), sterke atoombindingen, hoge thermische geleidbaarheid en uitstekende stralingsweerstand, is GaN niet alleen een opto-elektronisch materiaal met korte golflengte, maar ook met een hoge thermische geleidbaarheid.maar ook een goed alternatief materiaal voor hoogtemperatuur halfgeleiderapparatenGebaseerd op de stabiele fysische en chemische eigenschappen is GaN geschikt voor LED-toepassingen (blauw, groen, UV-licht), ultraviolette detectoren en opto-elektronica met een hoog vermogen en hoge frequentie.
| Specificatie | ||
| Type | GaN-FS-10 | GaN-FS-15 |
| Grootte | 10.0 mm × 10,5 mm | 14.0 mm × 15,0 mm |
| Dikte |
Rang 300, rang 350, Rang 400 |
300 ± 25 μm, 350 ± 25 μm, 400 ± 25 μm |
| Oriëntatie | C-as ((0001) ± 0,5° | |
| TTV | ≤ 15 μm | |
| BOW | ≤ 20 μm | |
| Dragerconcentratie | > 5x1017/cm3 | / |
| Tipe geleiding | N-type | Semi-isolatie |
| Resistiviteit ((@300K) | < 0,5 Ω•cm | > 106O•cm |
| Verplaatsingsdichtheid | Minder dan 5x106cm- Twee. | |
| Gebruikbare oppervlakte | > 90% | |
| Polieren |
Vooroppervlak: Ra < 0,2 nm. Achtergrond: fijne grond |
|
| Pakket | Verpakt in een schoonruimte van klasse 100, in eenvoudige wafercontainers, onder stikstofatmosfeer. | |
Contactpersoon: JACK HAN
Tel.: 86-18655618388
